Pusvadītāju izsmidzināšanas mērķi
Pusvadītāju mikroshēmu rūpniecība ir viena no galvenajām metāla izsmidzināšanas mērķu pielietojuma jomām, un tā ir arī joma ar visaugstākajām prasībām mērķa materiālu sastāvam, organizācijai un veiktspējai. Konkrēti, pusvadītāju mikroshēmu ražošanas procesu var iedalīt trīs galvenajās saitēs: silīcija vafeļu ražošana, vafeļu ražošana un mikroshēmu iepakošana. Tostarp metāla izsmidzināšanas mērķi ir nepieciešami gan vafeļu ražošanā, gan mikroshēmu iepakojumā. Metāla izsmidzināšanas mērķu uzdevums pusvadītāju mikroshēmām ir izveidot metāla vadus informācijas pārraidīšanai mikroshēmā. Konkrēts izsmidzināšanas process: vispirms izmantojiet ātrgaitas jonu plūsmu, lai bombardētu dažāda veida metāla izsmidzināšanas mērķu virsmas augsta vakuuma apstākļos, lai atomi uz dažādu mērķu virsmām tiktu slāni pa slānim nogulsnēti uz pusvadītāju mikroshēmas virsmas, un pēc tam, izmantojot īpašu apstrādes tehnoloģiju, metāla plēve tiek nogulsnēta uz virsmas, nano mikroshēma tiek nogulsnēta uz virsmas. simtiem miljonu mikrotranzistoru mikroshēmā savā starpā, tādējādi pārraidot signālus. Metāla izsmidzināšanas mērķi pusvadītāju mikroshēmu rūpniecībai.
Galvenās kategorijas
Galvenie veidi ir šādi: augstas -tīrības izsmidzināšanas mērķi, piemēram, tantals, niobijs, vanādijs, hafnijs, cirkonijs, hroms, alumīnijs, titāns, varš, kobalts un volframs, kā arī sakausējumu izsmidzināšanas mērķi, piemēram, niķeļa platīna, volframa un vara titāna mērķi, parasti tiek izmantoti kopā. Šobrīd vafeļu ražošana virzās uz mazākiem procesiem, un pakāpeniski palielinās vara stiepļu procesu pielietojums. Tāpēc paredzams, ka pieprasījums pēc vara un tantala mērķiem turpinās pieaugt. Alumīnija un titāna mērķus parasti izmanto kopā. Pašlaik automobiļu elektronisko mikroshēmu jomās, kurām ir nepieciešami tehnoloģiski mezgli virs 110 nm, lai nodrošinātu to stabilitāti un pret-traucējumus, alumīnija un titāna mērķi joprojām ir nepieciešami lielos daudzumos. Dažādu izsmidzināšanas mērķu izmantošana Augstas -tīrības izsmidzināšanas mērķi ietver tantala, niobija, vanādija, hafnija, volframa, cirkonija, titāna u. paneļi un plānas{13}plēves saules baterijas elektronisku plānslāņa materiālu sagatavošanai. Uzņēmuma produkti galvenokārt tiek izmantoti pusvadītājos, plakano paneļu displejos, saules baterijās un citās jomās.
Par tantala mērķiem
Tantala mērķu nozīme ir ne tikai tajā, ka tie atbalsta stratēģisko nozaru, piemēram, pusvadītāju un jaunas enerģijas kā funkcionālu materiālu, tehnoloģisko progresu, bet arī tajā, ka to darbība tieši nosaka gala produktu kvalitāti un tehniskās barjeras. Tajā pašā laikā izrāvienam to sagatavošanas tehnoloģijā ir liela stratēģiska nozīme valsts augstākās klases ražošanas nozares ķēdes neatkarīgai kontrolei{1}}. Nākotnē, pilnveidojot mikroshēmu ražošanas procesus un paplašinoties jaunām enerģētikas nozarēm, pieprasījums pēc tantala objektiem turpinās pieaugt, un to tehnoloģiskā konkurence arī kļūs par nozīmīgu dažādu valstu augstākās klases ražošanas jaudas izpausmi.
Lielisks tantala mērķu ražotājs
Baoji Yusheng Metal Technology Co., Ltd. ir līderis vietējā reto metālu izsmidzināšanas mērķa nozarē. Tā jau daudzus gadus ir koncentrējusies uz tantala mērķiem, niobija mērķiem, vanādija mērķiem, hafnija mērķiem, volframa mērķiem, cirkonija mērķiem un titāna mērķiem. Ar nobriedušām apstrādes tehnoloģijām un modernām iekārtām tas ir piegādātājs, kuram uzticami un atzīti daudzi klienti.
Papildus tam, ka tie ir daudzu Ķīnas nacionālo pētniecības institūtu un koledžu un universitāšu pirmā izvēle, to produkti tiek eksportēti arī uz Krieviju, Vāciju, Dienvidkoreju, Japānu un citām valstīm. Ja meklējat izcilu piegādātāju, viņi jums sniegs negaidītu vērtību un pieredzi.
Pārdošanas menedžeris
Kontaktpersona: Deizija Lī
E-pasts: kd@tantalumysjs.com
Whatsapp/Skype:+86 13379388917
Tālrunis/WeChat: +86 13379388917
Fakss: 0917-3139100
Pasta indekss: 721013
Vietne: www.tantalumysjs.com
Pievienot: Wenquan ciema industriālā zona, Gaoxin attīstības zona, Baoji pilsēta, Šaansji province, Ķīna
