Pēdējos gados pusvadītāju tehnoloģija ir strauji attīstījusies, un pieprasījums pēc tantala, ko izmanto kā izsmidzināmu plēvi, pakāpeniski ir palielinājies. Integrālajās shēmās tantals tiek novietots starp silīcija un vara vadītājiem kā difūzijas barjera. Ražošanas metodes priekšizsmidzinot tantala mērķusietver lietņu metalurģiju (I/M) un pulvermetalurģiju (P/M). Tantala mērķi ar zemākām prasībām parasti ir izgatavoti no tantala lietņiem. Tomēr dažos gadījumos ar augstākām prasībām I/M metodi nevar izmantot, un pulvermetalurģijas metodi var izmantot tikai tās ražošanai. Piemēram, ar I/M metodi nevar iegūt sakausējuma mērķus tantala un silīcija atšķirīgo kušanas punktu un silīcija savienojumu zemās stingrības dēļ.
Plēves veidojumā nedrīkst būt vielas, kas piesārņo pusvadītāju ierīci. Kad tiek veidota izsmidzināšanas plēve, ja tantala (sakausējuma, savienojuma) mērķī ir piemaisījumi, piemaisījumi tiks ievadīti izsmidzināšanas kamerā, izraisot rupju daļiņu pievienošanos pamatnei un īssavienojumu plānās kārtiņas ķēdē. Tajā pašā laikā piemaisījumi var būt arī iemesls izvirzīto daļiņu palielinājumam plānā kārtiņā. Piemaisījumu gāzes, piemēram, skābeklis, ogleklis, ūdeņradis un slāpeklis mērķī, izraisīs patoloģiskas parādības un radīs problēmas izveidotās plēves viendabīgumā. Turklāt pulvermetalurģijas metodei nogulsnētās plēves viendabīgums ir atkarīgs no graudu lieluma objektā, un jo smalkāki graudi objektā, jo viendabīgāka ir iegūta plēve. Tāpēc šajā jomā ir nepieciešami augstas kvalitātes tantala pulveri un tantala mērķi. Tāpēc, lai iegūtu augstas kvalitātes tantala pulveri un tantala mērķi, ir jāsamazina piemaisījumu saturs tantala pulverī un jāpalielina tantala pulvera tīrība.
Baoji Yusheng Metal Technology Co, Ltd var ražottantala pulveridažādu izmēru daļiņas. Pamatojoties uz augstas kvalitātes nodrošināšanu, mūsu uzņēmumam ir pilns tantala metāla pulveru klāsts, kas var apmierināt dažādu klientu vajadzības pētniecības un izstrādes, testēšanas, ražošanas, patēriņa uc vajadzībām.
